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54LS133

更新时间: 2024-02-10 12:39:08
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美国国家半导体 - NSC 输入元件
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2页 56K
描述
13-INPUT NAND GATE

54LS133 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP16,.3针数:16
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.73系列:LS
JESD-30 代码:R-GDIP-T16长度:19.43 mm
负载电容(CL):15 pF逻辑集成电路类型:NAND GATE
最大I(ol):0.004 A功能数量:1
输入次数:13端子数量:16
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
最大电源电流(ICC):1.1 mAProp。Delay @ Nom-Sup:38 ns
传播延迟(tpd):38 ns认证状态:Not Qualified
施密特触发器:NO筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:5.08 mm子类别:Gates
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

54LS133 数据手册

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