是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , 2426 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.84 | 电容: | 0.0018 µF |
电容器类型: | CERAMIC CAPACITOR | 介电材料: | CERAMIC |
高度: | 3.8 mm | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 6.2 mm | 多层: | Yes |
负容差: | 5% | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装形式: | Axial | 正容差: | 5% |
额定(直流)电压(URdc): | 500 V | 系列: | CPX(LEADED) |
尺寸代码: | 2426 | 温度特性代码: | P100 |
温度系数: | 100ppm/Cel ppm/ °C | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
宽度: | 6.6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
501DAA100M000DAG | SILICON |
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LVCMOS Output Clock Oscillator, 0.032MHz Min, 100MHz Max, 100MHz Nom, CMOS, DFN-4 | |
501DABM032000BAGR | SILICON |
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LVCMOS Output Clock Oscillator, 0.032MHz Nom, DFN-4 | |
501DAC100M000BAF | SILICON |
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LVCMOS Output Clock Oscillator, 0.032MHz Min, 100MHz Max, 100MHz Nom, CMOS, DFN-4 | |
501DAC100M000BAFR | SILICON |
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LVCMOS Output Clock Oscillator, 0.032MHz Min, 100MHz Max, 100MHz Nom, CMOS, DFN-4 | |
501DAC100M000BAGR | SILICON |
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LVCMOS Output Clock Oscillator, 100MHz Nom, DFN-4 | |
501DAC100M000DAF | SILICON |
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LVCMOS Output Clock Oscillator, 100MHz Nom, DFN-4 | |
501DAC100M000DAG | SILICON |
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LVCMOS Output Clock Oscillator, 100MHz Nom, DFN-4 | |
501DADM032000CAFR | SILICON |
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LVCMOS Output Clock Oscillator, 0.032MHz Nom, DFN-4 | |
501DAH100M000DAGR | SILICON |
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LVCMOS Output Clock Oscillator, 100MHz Nom, DFN-4 | |
501DAJ100M000BAFR | SILICON |
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LVCMOS Output Clock Oscillator, 100MHz Nom, DFN-4 |