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4R3TI60Y-080

更新时间: 2024-11-12 22:08:35
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 134K
描述
DIODE and TYRISTOR MODULE

4R3TI60Y-080 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.82外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, HALF-CONTROLLED WITH BUILT-IN DIODE最大直流栅极触发电流:80 mA
快速连接描述:0螺丝端子的描述:0
JESD-30 代码:R-XUFM-X9通态非重复峰值电流:1000 A
元件数量:3端子数量:9
最大通态电流:60000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:94.2 A
断态重复峰值电压:800 V重复峰值反向电压:800 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
触发设备类型:SCR

4R3TI60Y-080 数据手册

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