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4N60G-TF1-T

更新时间: 2022-09-20 09:39:10
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描述
4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

4N60G-TF1-T 数据手册

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4N60  
Power MOSFET  
„
TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)  
Capacitance Characteristics  
(Non-Repetitive)  
Gate Charge Characteristics  
12  
10  
8
1200  
Ciss=Cgs+Cgd (Cds=shorted)  
Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd  
VDS=300V  
VDS=480V  
1000  
800  
Ciss  
Notes:  
1. VGS=0V  
VDS=120V  
Coss  
6
600  
400  
200  
2. f = 1MHz  
4
2
Crss  
Note: ID=4A  
10  
Total Gate Charge, QG (nC)  
0
0
0.1  
20  
25  
0
5
15  
1
10  
Drain-SourceVoltage, VDS (V)  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
7 of 8  
QW-R502-061,Q  
www.unisonic.com.tw  

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