Datasheet > 495220

495220

更新时间： 2024-11-28 21:09:31

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	93K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 325V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

495220 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	325 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

495220 数据手册

April 2008

495220

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

High Voltage & Medium Power Linear Application

Equivalent Circuit

TO-220

Marking : 495220

1.Base 2.Collector 3.Emitter

Absolute Maximum Ratings * T_C=25°C unless otherwise noted

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

550

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

325

Collector Current (DC)

I_CP

Collector Current (Pulse)**

Base Current (DC)

0.5

I_B

P_C

Collector Dissipation(T_C=25°C)

Junction Temperature

°C

T_J

150

T_STG

Storage Junction Temperature Range

- 55 ~ 150

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

** Pulse Test : Pulse Width ≤ 5ms, Duty Cycle ≤ 10%

Electrical Characteristics * T_C=25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Condition

Min. Typ. Max. Units

BV_CEO(SUS)Collector-Emitter Sustaining Voltage

I_C=1.5A, I_B= 0.05A, L = 25mH

V_CB= 550V, I_E= 0

250

I_CBO

I_EBO

h_FE

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

V_EB=10V, I_C=0

V_CE=5V, I_C=0..5A

V_CE=5V, I_C=3.0A

5000

1000

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 0.75A, I_B= 0.17A

I_C= 2A, I_B= 5mA

1.7

1.5

V_BE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= 2A, I_B= 5mA

* Pulse Test : Pulse Width ≤ 5ms, Duty Cycle ≤ 10%

495220 Rev. A1

www.fairchildsemi.com

中文翻译

下载PDF

与495220相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
495220TU	FAIRCHILD	获取价格	NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
495-24.8832-2	FOX	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 24.8832MHz Nom, SMD, 4 PIN
495-28.0M-3DN-T	OSCILENT	获取价格	5 x 7 Ceramic 6 Pad PECL Output
495-28.0M-3EN-T	OSCILENT	获取价格	5 x 7 Ceramic 6 Pad PECL Output
495-28.0M-3ETS1-TR	OSCILENT	获取价格	PECL Output Clock Oscillator
495-28.0M-5DN-T	OSCILENT	获取价格	5 x 7 Ceramic 6 Pad PECL Output
495-28.0M-5EN-T	OSCILENT	获取价格	5 x 7 Ceramic 6 Pad PECL Output
495-3210-221	AMPHENOL	获取价格	Board Connector
495-3210-224	AMPHENOL	获取价格	Board Connector
495-3210-243	AMPHENOL	获取价格	Board Connector

与495220相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

48
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

66
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

62

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

495220

495220 技术参数

495220 数据手册

与495220相关器件

与495220相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

495220

495220 技术参数

495220 数据手册

与495220相关器件

与495220相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？