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3LN04S

更新时间： 2024-01-20 20:50:17

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三洋 - SANYO		开关通用开关
页数	文件大小	规格书
4页	52K
描述
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

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3LN04S 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.3
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.35 A
最大漏极电流 (ID)：	0.35 A	最大漏源导通电阻：	1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

3LN04S 数据手册

3LN04S

⏐yfs⏐ -- I

-- V

S SD

1000

=10V

=0V

1000

100

1.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

IT11714

100

1000

IT11713

Drain Current, I -- mA

Diode Forward Voltage, V

Ciss, Coss, Crss -- V

-- V

SW Time -- I

100

f=1MHz

=15V

=4V

Ciss

100

t (on)

1.0

IT11716

100

1000

IT11715

Drain Current, I -- mA

Drain-to-Source Voltage, V

-- V

-- Ta

-- Qg

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.16

0.15

0.14

When mounted on glass epoxy substrate

(145mm✕80mm✕1.6mm)

=10V

I =350mA

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.5

0.02

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

100

120

140

160

IT11717

Ambient Temperature, Ta -- °C

IT13626

Total Gate Charge, Qg -- nC

No. A1194-3/4

1 234

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