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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Lifetime Buy |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.32 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| 2D Presentation： | https://componentsearchengine.com/2D/0T/410792.2.1.png | Schematic Symbol： | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=410792 |
| PCB Footprint： | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=410792 | 3D View： | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=410792 |
| Samacsys PartID： | 410792 | Samacsys Image： | https://componentsearchengine.com/Images/9/3LP01S-TL-E.jpg |
| Samacsys Thumbnail Image： | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/3LP01S-TL-E.jpg | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) | Samacsys Package Category： | SOT23 (3-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | 3LP01S-TL-E | Samacsys Released Date： | 2019-01-08 05:32:18 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | 最大漏源导通电阻： | 10.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 3LP01C-TB-H | SANYO | General-Purpose Switching Device Applications |
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| 3LP01M | SANYO | P-Channel Silicon MOSFET |
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| 3LP01M_12 | SANYO | General-Purpose Switching Device Applications |
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| 3LP01M-TL-E | SANYO | General-Purpose Switching Device Applications |
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| 3LP01M-TL-E | ONSEMI | 小信号 MOSFET，-30V，-100mA，10.4Ω，单 P 沟道，MCP3 |
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| 3LP01M-TL-H | SANYO | General-Purpose Switching Device Applications |
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