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3LP01SP

更新时间： 2024-01-09 03:14:14
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其他 - ETC 晶体晶体管开关
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4页 32K
描述

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3LP01SP 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.32
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/410792.2.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=410792
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=4107923D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=410792
Samacsys PartID：410792Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/3LP01S-TL-E.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/3LP01S-TL-E.jpgSamacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：3LP01S-TL-ESamacsys Released Date：2019-01-08 05:32:18
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.1 A
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：10.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

3LP01SP 数据手册

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Ordering number : ENN6647  
P-Channel Silicon MOSFET  
3LP01SP  
Ultrahigh-Speed Switching Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit : mm  
•
Low ON-resistance.  
• Ultrahigh-speed switching.  
• 2.5V drive.  
2180  
[3LP01SP]  
2.2  
4.0  
0.4  
0.5  
0.4  
0.4  
1
2
3
1.3  
1.3  
1 : Source  
2 : Drain  
3 : Gate  
Specifications  
3.0  
3.8nom  
SANYO : SPA  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
--30  
±10  
--0.1  
--0.4  
0.25  
150  
V
DSS  
GSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
A
I
D
Drain Current (Pulse)  
Allowable Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
I
PW≤10µs, duty cycle≤1%  
A
DP  
P
W
°C  
°C  
D
Tch  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
=--1mA, V =0  
Unit  
min  
--30  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Sourse Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
D
GS  
I
V
V
V
V
=--30V, V =0  
GS  
--10  
DSS  
GSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
=±8V, V =0  
DS  
±10  
V (off)  
GS  
=--10V, I =--100µA  
--0.4  
80  
--1.4  
D
Forward Transfer Admittance  
yfs  
=--10V, I =--50mA  
110  
mS  
D
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
90100 TS IM TA-2003No.6647-1/4  
1234

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与3LP01SP相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
3LP01SS SANYO Ultrahigh-Speed Switching Applications

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3LP01SS_06 SANYO General-Purpose Switching Device Applications

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3LP01SS_12 SANYO General-Purpose Switching Device Applications

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3LP01SS-TL-E ONSEMI P-Channel Small Signal MOSFET, -30V, -0.1A, 10.4Ω, Single SSFP, SOT-623 / SSFP,

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3LP01SS-TL-H ONSEMI P-Channel Small Signal MOSFET, -30V, -0.1A, 10.4Ω, Single SSFP, SOT-623 / SSFP,

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3LP01S-TL-E SANYO General-Purpose Switching Device Applications

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