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3LP01S

更新时间： 2024-02-28 17:59:51
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体开关晶体管光电二极管通用开关
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
General-Purpose Switching Device Applications

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3LP01S 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Lifetime Buy
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.32
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/410792.2.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=410792
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=4107923D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=410792
Samacsys PartID：410792Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/3LP01S-TL-E.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/3LP01S-TL-E.jpgSamacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：3LP01S-TL-ESamacsys Released Date：2019-01-08 05:32:18
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.1 A
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：10.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

3LP01S 数据手册

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Ordering number : EN6681A  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
P-Channel Silicon MOSFET  
General-Purpose Switching Device  
Applications  
3LP01S  
Features  
•
Low ON-resistance.  
•
Ultrahigh-speed switching.  
•
2.5V drive.  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
--30  
±10  
--0.1  
--0.4  
0.15  
150  
DSS  
GSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
V
I
A
D
Drain Current (Pulse)  
Allowable Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
I
PW≤10µs, duty cycle≤1%  
A
DP  
P
W
°C  
°C  
D
Tch  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
=--1mA, V =0V  
Unit  
min  
--30  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
D
GS  
I
V
V
V
V
=--30V, V =0V  
GS  
--1  
DSS  
GSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
=±8V, V =0V  
DS  
±10  
V (off)  
GS  
=--10V, I =--100µA  
--0.4  
80  
--1.4  
D
Forward Transfer Admittance  
| yfs |  
=--10V, I =--50mA  
110  
mS  
Ω
D
R
(on)1  
I
I
I
=--50mA, V =--4V  
GS  
8
11  
10.4  
15.4  
54  
DS  
DS  
DS  
D
D
D
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
R
R
(on)2  
(on)3  
=--30mA, V =--2.5V  
GS  
Ω
=--1mA, V =--1.5V  
GS  
27  
Ω
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-ON Delay Time  
Rise Time  
Ciss  
V
V
V
=--10V, f=1MHz  
=--10V, f=1MHz  
=--10V, f=1MHz  
7.5  
5.7  
1.8  
24  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
DS  
DS  
DS  
Coss  
Crss  
t (on)  
d
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
See specified Test Circuit.  
t
r
55  
Turn-OFF Delay Time  
Fall Time  
t (off)  
d
120  
130  
t
f
Marking : XA  
Continued on next page.  
Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications  
that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,  
aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in  
serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative  
nearest you before usingany SANYO Semiconductor products described or contained herein in such  
applications.  
SANYO Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products  
at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition  
ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor  
products described or contained herein.  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
71206 / 41006PE MS IM TB-00002191 / 12201 TS IM TA-2005 No.6681-1/4  
1234

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