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3LN01C

更新时间： 2024-02-27 02:13:57

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安森美 - ONSEMI		/
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4页	31K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,150MA I(D),SOT-346

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3LN01C 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CP, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.15 A	最大漏极电流 (ID)：	0.15 A
最大漏源导通电阻：	3.7 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

3LN01C 数据手册

3LN01C

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Ratings

typ

Parameter

Symbol

t (on)

Conditions

Unit

min

max

Turn-ON Delay Time

Rise Time

See specified Test Circuit.

155

Turn-OFF Delay Time

Fall Time

t (off)

120

Total Gate Charge

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain “Miller” Charge

Diode Forward Voltage

Qgs

Qgd

=10V, V =10V, I =150mA

1.58

0.26

0.31

0.87

=10V, V =10V, I =150mA

I =150mA, V =0V

1.2

Package Dimensions

unit : mm

Switching Time Test Circuit

7013A-013

=15V

=80mA

2.9

0.1

R =187.5Ω

PW=10µs

D.C.≤1%

OUT

3LN01C

P. G

50Ω

0.95

0.4

1 : Gate

2 : Source

3 : Drain

SANYO : CP

-- V

D GS

0.30

0.16

=10V

0.14

0.12

0.10

0.08

3.5V

0.25

0.20

0.15

0.10

-25

a=-

4.0V

=1.5V

0.06

0.04

0.05

0.02

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

IT00029

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

IT00030

Drain-to-Source Voltage, V

-- V

Gate-to-Source Voltage, V

-- V

No.6260-2/4

123 4

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