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3LN01C-TB-H

更新时间： 2023-09-03 20:36:05
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 253K
描述
小信号 MOSFET，30V，150mA，3.7 Ω，单 N 沟道，CP

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3LN01C-TB-H 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.57Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.15 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)Base Number Matches：1

3LN01C-TB-H 数据手册

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Ordering number : EN6260C  
3LN01C  
N-Channel Small Signal MOSFET  
http://onsemi.com  
Ω
30V, 0.15A, 3.7 , Single CP  
Features  
•
Low ON-resistance  
•
Ultrahigh-speed switching  
•
2.5V drive  
Specifications  
at Ta=25°C  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
30  
Unit  
V
V
DSS  
V
±10  
V
GSS  
I
0.15  
A
D
Drain Current (Pulse)  
Allowable Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
I
PW 10 s, duty cycle 1%  
0.6  
A
≤
μ
≤
DP  
P
0.25  
W
°C  
°C  
D
Tch  
150  
Tstg  
--55 to +150  
This product is designed to “ESD immunity < 200V ”, so please take care when handling.  
*
Machine Model  
*
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating  
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Package Dimensions  
unit : mm (typ)  
Ordering & Package Information  
Device  
Package  
Shipping  
memo  
7013A-013  
CP  
3,000  
pcs./reel  
3LN01C-TB-E  
SC-59, TO-236,  
SOT-23, TO-236AB  
Pb-Free  
2.9  
0.1  
3LN01C-TB-E  
3LN01C-TB-H  
CP  
Pb-Free  
and  
Halogen Free  
3
3,000  
pcs./reel  
3LN01C-TB-H  
SC-59, TO-236,  
SOT-23, TO-236AB  
Packing Type: TB  
Marking  
1
2
0.95  
0.4  
YA  
1 : Gate  
TB  
2 : Source  
3 : Drain  
CP  
Electrical Connection  
3
1
2
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
June, 2013  
61213 TKIM TC-00002936/62712 TKIM/33006PE MSIM TB-00002198/21400 TS(KOTO) TA-1987 No.6260-1/6  
123456

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3LN01C-TB-H 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTA7002NT1G ONSEMI

功能相似

 Small Signal MOSFET 30 V, 154 mA, Single, N−Channel, Gate ESD Protection, SC−7

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
3LN01M UTC

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