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3KP11

更新时间: 2024-10-28 06:17:11
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 瞬态抑制器二极管局域网可编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
3页 229K
描述
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes

3KP11 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.67Is Samacsys:N
最大击穿电压:14.9 V最小击穿电压:12.2 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:3000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-50 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:8 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:11 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

3KP11 数据手册

 浏览型号3KP11的Datasheet PDF文件第2页浏览型号3KP11的Datasheet PDF文件第3页 
3 KP 5,0 ... 3 KP 120CA  
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bidirectional Transient  
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Maximum Stand-off  
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5
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1
12-03-2007 MAM  
© by SEMIKRON  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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