3EZ6.8

更新时间： 2024-01-19 18:54:07

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		二极管测试
页数	文件大小	规格书
2页	114K
描述
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

3EZ6.8 数据手册

3EZ 1 … 3EZ 200 (3 W)

Silicon-Power-Z-Diodes

(non-planar technology)

Silizium-Leistungs-Z-Dioden

(flächendiffundierte Dioden)

Maximum power dissipation

Maximale Verlustleistung

3 W

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung

1…200 V

Plastic case

DO-15

Kunststoffgehäuse

DO-204AC

Weight approx. – Gewicht ca.

0.4 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

see page 16

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

siehe Seite 16

Dimensions / Maße in mm

Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.

Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.

Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der

internationalen Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf

Anfrage.

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Power dissipation – Verlustleistung

T_A= 25ꢀC

P_tot

3.0 W ¹)

60 W

Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms

Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms

P_ZSM

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

– 50…+150ꢀC

T_S– 50…+175ꢀC

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R_thA

R_thL

< 40 K/W ¹)

< 15 K/W

Thermal resistance junction to lead

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht

Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen

The 3EZ 1is a diode, operated in forward. The cathode, indicated by a ring, is to be connected to the negative pole.

Die 3EZ 1 ist eine in Durchlaß betriebene Einzelchip-Diode.

)

Die durch den Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.

216

28.02.2002

中文翻译

下载PDF

3EZ6.8 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV1N4485	MICROSEMI	功能相似	1.5 WATT GLASS ZENER DIODES
1N4760A	COMCHIP	功能相似	1.0W Zener Diode

与3EZ6.8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
3EZ6.8_09	PANJIT	获取价格	SILICON ZENER DIODES
3EZ6.8D10	EIC	获取价格	SILICON ZENER DIODES
3EZ6.8D10	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 P
3EZ6.8D10E3	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLA
3EZ6.8D10E3/TR12	MICROSEMI	获取价格	DIODE ZENER 6.8V 3W DO204AL
3EZ6.8D10E3TR	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 P
3EZ6.8D10TRE3	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 10%, 3W,
3EZ6.8D2TR	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 2%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PI
3EZ6.8D4E3	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 4%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLAS
3EZ6.8D4E3TR	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 4%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PI

与3EZ6.8相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

5
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

3EZ6.8

3EZ6.8 数据手册

3EZ6.8 替代型号

与3EZ6.8相关器件

与3EZ6.8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

3EZ6.8

3EZ6.8 数据手册

3EZ6.8 替代型号

与3EZ6.8相关器件

与3EZ6.8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？