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3DG6511

更新时间： 2024-02-11 13:16:20

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描述
3DG6511硅NPN型高频高压小功率晶体管

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3DG6511 数据手册

晶分立器件

3DG6511

高放大境定双极型晶体管

1 概述与特点

3DG6511 硅 NPN 型高频高压小功率晶体管主要用于彩色电视机帧输出和伴音输出其特点

如下

击穿电压高

饱和压降低

电流容量大

封装形式 TO-92MOD

2 电特性

6. 1max

5. 1max

2.1 限值

除非另有规定 T_amb= 25

参数名称

集电极-发射极电压

集电极-基极电压

发射极-基极电压

集电极电流

符号

V_CE0

V_CB0

V_EB0

I_C

额定值

160

单位

160

1.0

耗散功率(Ta=25

结温

)

P_tot

0.9

1. 45

C B

T_j

150

贮存温度

T_stg

-55 150

2.2 电参数

除非另有规定 T_amb= 25

规范值

参数名称

符号

测试条件

单位

最小典型最大

集电极-基极截止电流

发射极-基极截止电流

I_CB0

I_EB0

V_CB=150V, I_E=0

V_EB=6V, I_C=0

120

200

320

0.5

共发射极正向电流传输比

的静态值

V_CE=5V

I_C=200mA

h_FE

100

160

集电极-发射极饱和电压

V_CEsatI_C=500mA, I_B=50mA

V_CE=5V, I_C=200mA

f=10MHz

特征频率

f_T

MHz

V_CB=10V, I_E=0

f=1MHz

共基极输出电容

C_ob

无锡华晶微电子股份有限公司

地址江苏省无锡市梁溪路 14 号电话 0510 5807228-2268 2299

传真 0510 5800360

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