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3DD13001P1

更新时间： 2024-03-03 10:11:01
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华润微 - CRMICRO /
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TO-92

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3DD13001P1 数据手册

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管  
3DD13001 P1  
产品特点  
R
○
产品概述  
特征参数  
● 开关损耗低  
符 号  
3DD13001 P1 是硅 NPN  
额定值  
单 位  
● 反向漏电流小  
VCEO  
400  
0.2  
0.6  
V
A
型功率开关晶体管，该产品  
采用平面工艺，分压环终端  
结构和少子寿命控制技术，  
提高了产品的击穿电压、开  
关速度和可靠性。  
● 高温特性好  
IC  
● 合适的开关速度  
P
tot （Ta=25℃）  
W
● 可靠性高  
封装 TO-92  
应用  
● 紧凑型电子节能灯  
● 电子镇流器  
● 一般功率开关电路  
存储条件和焊接温度  
内部结构图  
存放有效期  
存放条件  
环境温度-10℃～40℃  
相对湿度 ＜85％  
极限耐焊接热  
C
1 年  
265℃  
B
E
极限值 （除非另有规定，Ta= 25℃）  
参 数 名 称  
符 号  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
额定值  
600  
单 位  
V
V
集电极-基 极电压  
集电极-发射极电压  
发射极-基 极电压  
集电极直流电流  
400  
9
V
0.2  
A
集电极脉冲电流（tp＜5ms）  
基极直流电流  
ICM  
IB  
0.4  
A
0.1  
A
IBM  
Ptot  
0.2  
A
基极脉冲电流（tp＜5ms）  
耗散功率  
0.6  
W
℃
℃
Tj  
150  
结温  
Tstg  
贮存温度  
-55～150  
热 阻  
参数名称  
符号  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
结到环境的热阻  
RθJA  
208  
℃/W  
无 锡 华 润 华 晶 微 电 子 有 限 公 司  
2015V01  
1 / 5  
12345

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