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3DD13001-TO-251

更新时间： 2022-09-18 18:14:57

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JCST		晶体晶体管
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2页	101K
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TRANSISTOR（ NPN ）

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3DD13001-TO-251 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-251 Plastic-Encapsulate Transistors

3DD13001

TRANSISTOR（ NPN ）

TO— 251

FEATURES

Power dissipation

P_CM: 1.2

Collector current

I_CM: 0.2

W（Tamb=25℃）

1.BASE

2.COLLECTOR

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: 600

3.EMITTER

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL

CHARACTERISTICS （ Tamb=25 ℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

600

400

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= 100μA ，I_E=0

I_C= 1 mA , I_B=0

I_E= 100 μA，I_C=0

V_CB= 600 V , I_E=0

V_CE= 400 V , I_B=0

V_EB= 7 V , I_C=0

V_CE= 20 V, I_C= 20mA

V_CE= 10V, I_C= 0.25 mA

I_C= 50mA, I_B= 10 mA

I_C= 50 mA, I_B= 10mA

I_E= 100 mA,

100

200

100

μA

Collector cut-off current

I_CEO

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE（1）

h_FE（2）

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

0.5

1.2

1.1

V_CE= 20 V, I =20mA

Transition frequency

MHz

f = 1MHz

I_C=50mA,

Fall time

0.3

1.5

μs

I_B1=-I_B2=5mA,

Storage time

t _S

V_CC=45V

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

10-15

15-20

20-25

25-30

30-35

35-40

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