3SK166

更新时间： 2024-01-05 22:20:41

品牌	Logo	应用领域
索尼 - SONY		栅
页数	文件大小	规格书
5页	75K
描述
GaAs N-channel Dual Gate MES FET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

3SK166 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最大漏极电流 (ID)：	0.08 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	0.04 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	18 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

3SK166 数据手册

3SK166A

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

Condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

VDS = 8V

Drain cut-off current

IDSX

VG1S = –4V

VG2S = 0V

100

–20

µA

VG1S = –5V

VG2S = 0V

VDS = 0V

Gate 1 to source current

Gate 2 to source current

Drain saturation current

Gate 1 to source cut-off voltage

Gate 2 to source cut-off voltage

IG1SS

IG2SS

IDSS

µA

VG2S = –5V

VG1S = 0V

VDS = 0V

VDS = 5V

VG1S = 0V

VG2S = 0V

–1

VDS = 5V

VG1S (OFF) ID = 100µA

VG2S = 0V

–4

VDS = 5V

VG2S (OFF) ID = 100µA

VG1S = 0V

–4

VDS = 5V

ID = 10mA

Forward transfer admittance

VG2S = 1.5V

f = 1kHz

VDS = 5V

Ciss

Input capacitance

Feedback capacitance

Noise figure

1.3

2.0

ID = 10mA

VG2S = 1.5V

f = 1MHz

Crss

VDS = 5V

1.2

2.5

ID = 10mA

VG2S = 1.5V

f = 800MHz

Associated gain

IDSS classification

Product name classification

3SK166A-0

IDSS RANK

20 to 80mA

45 to 80mA

3SK166A-2

Typical Characteristics (Ta = 25°C)

ID vs. VDS

ID vs. VG1S

100

(VG2S = 1.5V)

(VDS = 5V)

VG2S

= 1.5V

VG1S

= 0V

1.0V

0.5V

–0.2V

–0.4V

–0.6V

–0.5V

–1.5V

–0.8V

–1.0V

–1.2V

–1.4V

–1.6V

–2.0

–1.5

–1.0

–0.5

VDS – Drain to source voltage [V]

VG1S – Gate 1 to source voltage [V]

– 2 –

123 4 5

下载PDF

与3SK166相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
3SK166-1	SONY	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars	获取价格
3SK166-2	SONY	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars	获取价格
3SK166A	SONY	GaAs N-channel Dual Gate MES FET	获取价格
3SK166A-0	SONY	GaAs N-channel Dual Gate MES FET	获取价格
3SK166A-2	SONY	GaAs N-channel Dual Gate MES FET	获取价格
3SK169	PANASONIC	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C	获取价格