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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 8 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.08 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.08 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 40 pF | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET RF Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3SK166A | SONY |
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GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
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| 3SK166A-0 | SONY |
获取价格 |
GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
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| 3SK166A-2 | SONY |
获取价格 |
GaAs N-channel Dual Gate MES FET |
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| 3SK169 | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 3SK169H | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 3SK169P | PANASONIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 3SK169Q | PANASONIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 3SK169TX | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 3SK176A | NEC |
获取价格 |
RF AMP. AND MIXER FOR CATV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS |
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| 3SK176A-UHG | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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