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35JB10LPBF

更新时间: 2024-02-21 20:48:11
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英飞凌 - INFINEON 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 117K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, POWER MODULE-4

35JB10LPBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:R-PUFM-D4针数:4
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84其他特性:UL APPROVED
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.14 VJESD-30 代码:R-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流:500 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:35 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向电流:10 µA
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

35JB10LPBF 数据手册

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