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35JB2LPBF

更新时间: 2024-02-15 03:22:38
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英飞凌 - INFINEON 局域网二极管
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6页 117K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 200V V(RRM), Silicon, POWER MODULE-4

35JB2LPBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:R-PUFM-D4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
其他特性:UL APPROVED外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.14 V
JESD-30 代码:R-PUFM-D4最大非重复峰值正向电流:500 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:35 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:0.00001 µA表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

35JB2LPBF 数据手册

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