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32S128-85/BZCJC

更新时间: 2024-11-06 19:07:39
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 341K
描述
SRAM Module, 128KX32, 85ns, CMOS, CPGA66

32S128-85/BZCJC 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:PGA, PGA66,11X11Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-XPGA-P66JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:32端子数量:66
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:PGA封装等效代码:PGA66,11X11
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.2 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.45 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子节距:2.54 mm端子位置:PERPENDICULAR
Base Number Matches:1

32S128-85/BZCJC 数据手册

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