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31GF6-M3/73

更新时间： 2024-10-30 21:01:11

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威世 - VISHAY		功效二极管
页数	文件大小	规格书
4页	75K
描述
DIODE 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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31GF6-M3/73 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-201AD
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.67
其他特性：	FREE WHEELING DIODE	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-201AD	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	90 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向恢复时间：	0.03 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

31GF6-M3/73 数据手册

31GF6-M3

Vishay General Semiconductor

www.vishay.com

Ultrafast Plastic Rectifier

FEATURES

• Glass passivated pellet chip junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low forward voltage drop

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DO-201AD

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency rectification and freewheeling

application in switching mode converters and inverters for

consumer, computer and telecommunication.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

t_rr

3.0 A

600 V

90 A

MECHANICAL DATA

Case: DO-201AD

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating

30 ns

1.6 V

Base P/N-M3

- halogen-free, RoHS-compliant, and

V_F

commercial grade

T_Jmax.

Package

150 °C

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD 22-B102

M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test

DO-201AD

Single die

Diode variations

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

V_RRM

VALUE

600

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RMS

420

Maximum DC blocking voltage

V_DC

600

Maximumaverageforwardrectifiedcurrent,0.375"(9.5mm)leadlengthat

T_L= 110 °C

I_F(AV)

I_FSM

3.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on

rated load

Operating junction and storage temperature range

Reverse avalanche energy (8/20 μs surge)

T_J, T_STG

E_AR

-40 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

TEST CONDITIONS

SYMBOL

VALUE

UNIT

Minimum reverse breakdown voltage

10 μA

V_BR

600

1.6

(1)

Maximum instantaneous forward voltage 3.0 A

V_F

Maximum DC reverse current

I_R

t_rr

μA

at rated DC blocking voltage

Maximum reverse recovery time

I_F= 0.5 A, I_R= 1.0 A, I_rr= 0.25 A

Note

(1)

Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle

Revision: 19-Feb-16

Document Number: 89434

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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