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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.63 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 45 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 30N06L-TF2-T | UTC |
获取价格 |
60V, 30A N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 30N06L-TF3-R | UTC |
获取价格 |
30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 30N06L-TF3-T | UTC |
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30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 30N06L-TM3-T | UTC |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 30N06L-TN3-R | UTC |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 30N06L-TN3-T | UTC |
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60V, 30A N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 30N06-Q | UTC |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 30N06-TA3-R | UTC |
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30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 30N06-TA3-T | UTC |
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30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET |
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