5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 30KPA288A-B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Transient Voltage Suppression Diodes |
|
| 30KPA288AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 288V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
|
| 30KPA288AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 288V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R |
|
| 30KPA288A-HR | LITTELFUSE |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 30KPA288A-HRA | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 288V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
|
| 30KPA288ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 288V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P |
|
| 30KPA288ATRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 288V V(RWM), Unidirectional, |
|
| 30KPA288C | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 300V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PL |
|
| 30KPA288C | NJSEMI |
获取价格 |
Diode TVS Single Bi-Dir 288V 30KW 2-Pin Case P600 T/R |
|
| 30KPA288C | LITTELFUSE |
获取价格 |
30KPA系列可专门用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压影响 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
