30CTQ035S ... 30CTQ045S
30CTQ035S ... 30CTQ045S
High Temperature Schottky Rectifier – Common Cathode
Hochtemperatur Schottky Gleichrichterdiode – Gemeinsame Kathode
Version 2013-06-04
Nominal current
Nennstrom
2 x 15 A
35...45 V
1.2
10.25±0.5
4.5±0.2
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
4
Type
Typ
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-263AB
D2PAK
1
2
3
1.3
Weight approx.
Gewicht ca.
1.6 g
0.8
5.08
0.4
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1
2
3
4
Standard packaging in tubes
On request taped on 13” reel
(add “R” to the part number)
Standard Lieferform in Stangen
Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle
(ergänze „R“ zur Artikelnummer)
Green Molding
Halogen-Free1
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 2)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 2)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 2), Tj = 25°C
IF = 5 A
< 0.52
< 0.52
< 0.52
IF = 15 A
< 0.62
< 0.62
< 0.62
30CTQ035S
30CTQ040S
30CTQ045S
35
40
45
35
40
45
Max. average forward current
Dauergrenzstrom
TC = 155°C
TC = 155°C
IFAV
IFAV
15 A 2) 3)
30 A 3) 4)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFRM
IFSM
i2t
53 A 5)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
265 A 2)
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
351 A2s 2)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-50...+175°C
-50...+175°C
Tj
TS
1
From 4Q/2013 – Ab 4Q/2013
Per diode – Pro Diode
50% Duty cycle, rectangular waveform − 50% Tastverhältnis, Rechteckpuls
Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
2
3
4
5
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1