30CTQ040SR

更新时间： 2024-11-30 13:01:35

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管 IOT 局域网
页数	文件大小	规格书
2页	138K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40V V(RRM), Silicon, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, D2PAK-3/2

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30CTQ040SR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	GREEN, PLASTIC, D2PAK-3/2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.62 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：	290 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-50 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向电流：	50 µA	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

30CTQ040SR 数据手册

30CTQ035 ... 30CTQ045

High Temperature Schottky Rectifier – Common Cathode

Hochtemperatur Schottky Gleichrichterdiode – Gemeinsame Kathode

Version 2013-05-07

Nominal current

Nennstrom

2 x 15 A

35...45 V

TO-220AB

1.8 g

10.1^±0.3

1.2^±0.2

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Ø 3.8^±0.2

4.5^±0.2

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Type

Typ

1 2 3

Weight approx.

Gewicht ca.

2.67^±0.2

0.42^±0.1

1.3^±0.1

0.8^±0.2

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2.54^±0.1

Standard packaging in tubes

Standard Lieferform in Stangen

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V] ¹)

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V] ¹)

Forward voltage

Durchlass-Spannung

V_F[V] ¹), T_j= 25°C

I_F= 5 A

< 0.52

I_F= 15 A

< 0.62

30CTQ035

30CTQ040

30CTQ045

Max. average forward current,

Dauergrenzstrom

T_C= 127°C

I_FAV

15 A ²)

30 A ³)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

T_A= 25°C

I_FRM

I_FSM

i²t

53 A ⁴)

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle

265 A ¹)

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

351 A²s ¹)

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+175°C

T_j

T_S

Per diode – Pro Diode

50% Duty Cycle, Rectangular waveform - 50% Duty Cycle, Rechteckwellenform

Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)

Max. temperature of the case T_C= 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses T_C= 100°C

http://www.diotec.com/

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