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30C01SP

更新时间: 2024-11-23 07:39:43
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三洋 - SANYO /
页数 文件大小 规格书
3页 55K
描述
30C01SP

30C01SP 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.51Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.4 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):300
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.4 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):380 MHzBase Number Matches:1

30C01SP 数据手册

 浏览型号30C01SP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号30C01SP的Datasheet PDF文件第3页 
注文コーNo. N 7 5 2 2  
N 7522  
No.  
O3103  
NPN ピタキシャルプレーナ形シリコントランジスタ  
30C01SP  
用途 ・低周波電力増幅、ミューティング回路。  
低周波一般増幅用  
特長 ・電流容量が大きい。  
・コレクタ・エミッタ飽和電抵抗低い:R (sat)typ=0.70[I =0.4A,I =20m A]。  
CE  
C
B
Ron小さい。  
絶対最大定AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
unit  
V
コレクタ・ベース電圧  
コレクタ・エミッタ電圧  
エミッタ・ベース電圧  
コレクタ電流  
V
V
V
40  
CBO  
CEO  
EBO  
30  
V
5
V
I
C
400  
m A  
m A  
m W  
(
コレクタ電流 パルス  
)
I
CP  
800  
400  
コレクタ損失  
接合部温度  
P
C
Tj  
150  
保存周囲温度  
Tstg  
55150  
電気的特ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
m in  
typ  
m ax unit  
コレクタしゃ断電流  
エミッタしゃ断電流  
直流電流増幅率  
I
V
V
V
V
V
=30V,I =0  
E
0.1  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
I
EBO  
=4V,I =0  
C
0.1  
h
=2V,I =10m A  
C
300  
800  
FE  
利得帯域幅積  
f
T
=10V,I =50m A  
C
380  
2.4  
M Hz  
pF  
出力容量  
Cob  
=10V,f=1M Hz  
コレクタ・エミッタ飽和電圧  
ベース・エミッタ飽和電圧  
V
V
(sat)  
(sat)  
I =100m A,I =5m A  
B
100  
0.9  
200 m V  
1.2  
CE  
BE  
C
I =100m A,I =5m A  
C B  
V
次ページへ続く。  
単体品名表:YQ  
外形図ꢀ2033A  
(unit:m m )  
2.2  
4.0  
0.4  
0.5  
0.4  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を  
要する用生命維持装置空機のコント  
ロールシステム等、多大な人的・物的損害  
を及ぼす恐れのある用途対応する仕様に  
0.4  
はなっておりません。そのような場合には、  
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下  
さい。  
1
1.3  
2
3
1.3  
1:Em itter  
2:Collector  
3:Base  
本書記載の規格値(大定格、動作条件範囲  
等)を瞬時たりとも越えて使用しの結果  
発生した機器の欠陥について、弊社は責任  
を負いません。  
3.0  
3.8nom  
SANYO :SPA  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
O3103TS IM TA-100494 No.7522-1/3  

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