是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | O-CUPM-H1 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.55 |
其他特性: | HIGH SURGE CAPABILITY | 应用: | HIGH VOLTAGE HIGH POWER |
外壳连接: | ANODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.25 V | JEDEC-95代码: | DO-205AB |
JESD-30 代码: | O-CUPM-H1 | 最大非重复峰值正向电流: | 8640 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 180 °C |
最大输出电流: | 330 A | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 2000 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
307UR200P4 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-205AB, | |
307UR200P4PBF | INFINEON |
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330A, 2000V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB | |
307UR200P5PBF | INFINEON |
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330A, 2000V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AB | |
307UR250 | THINKISEMI |
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ThinkiSemi 330A,1600V Rotating Rectifier Stud Type Standard Recovery Diode | |
307UR250P2 | INFINEON |
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STANDARD RECOVERY DIODES | |
307UR250P2PBF | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 2500V V(RRM), Silicon, DO-205AB, | |
307UR250P3 | INFINEON |
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STANDARD RECOVERY DIODES | |
307UR250P4 | INFINEON |
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STANDARD RECOVERY DIODES | |
307UR250P4PBF | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 300A, 2500V V(RRM), Silicon, DO-205AB, | |
307UR250P5 | INFINEON |
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STANDARD RECOVERY DIODES |