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305UR80P4

更新时间： 2024-10-30 20:49:19

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英飞凌 - INFINEON		高压大电源高功率电源二极管
页数	文件大小	规格书
8页	218K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AB,

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305UR80P4 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	其他特性：	HIGH SURGE CAPABILITY
应用：	HIGH VOLTAGE HIGH POWER	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.4 V
JEDEC-95代码：	DO-205AB	JESD-30 代码：	O-CUPM-X1
最大非重复峰值正向电流：	8640 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	180 °C	最大输出电流：	330 A
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

305UR80P4 数据手册

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Bulletin I2032/A

301U(R) SERIES

Stud Version

STANDARD RECOVERY DIODES

Features

300A

Wide current range

High voltage ratings up to 2500V

High surge current capabilities

Stud cathode and stud anode version

TypicalApplications

Converters

Power supplies

Machine tool controls

High power drives

Medium traction applications

Major Ratings and Characteristics

301U(R)

Parameters

Units

80 to 200

330

250

300

I_F(AV)

°C

@ T_C

120

I_F(RMS)

I_FSM

520

470

@ 50Hz

@ 60Hz

@ 50Hz

@ 60Hz

8250

6050

6335

183

8640

I²t

340

KA²s

311

167

case style

DO-205AB (DO-9)

V_RRMrange

T_J

800 to 2000

- 40 to 180

2500

- 40 to 180

°C

To Order

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
305UR80P4PBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AB,
305UR80P5	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AB,
305UR80P5PBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 330A, 800V V(RRM), Silicon, DO-205AB,
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