3.0SMCJ5.0A ... 3.0SMCJ170CA
3.0SMCJ5.0A ... 3.0SMCJ170CA
PPPM = 3000 W
PM(AV) = 6.0 W
Tjmax = 150°C
VWM = 5.0 ... 170 V
VBR = 6.8 ... 200 V
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2018-12-12
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
SMC
~ DO-214AB
Free-wheeling diodes
Freilauf-Dioden
Commercial grade
Standardausführung
7.9±0.2
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1)
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1)
Features
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
3000 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
1.2
0.15
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 3000 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
R
Type
Typ
Konform zu RoHS, REACH,
Pb
V
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Gegurtet auf Rolle
Mechanical Data 1)
7.2±0.5
Taped and reeled
3000 / 13“
0.21 g
Dimensions - Maße [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
Type = Part number. Cathode mark
only at unidirectional types
Case material
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
Löt- und Einbaubedingungen
Typ = Artikel-Nr. Kathoden-Markierung
nur bei unidirektionalen Typen
For bidirectional types (suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
PPPM
PM(AV)
IFSM
3000 W 3)
6 W
Steady state power dissipation – Verlustleistung im Dauerbetrieb
TT = 75°C
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
60 Hz (8.3 ms)
300 A 4)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Kennwerte
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
< 3.0 V 4)
IF = 25 A VBR ≤ 200 V
VF
Typ. thermal resistance junction to ambient – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Typ. thermal resistance junction to terminal – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthA
RthT
33 K/W 5)
10 K/W
1
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
2
3
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
4
5
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1