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2SK632

更新时间： 2022-02-26 13:52:39

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无锡固电 - ISC		/
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2页	64K
描述
Drain Current âID=5A@ TC=25C

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2SK632 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc N-Channel MOSFET Transistor

2SK632

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

T_C=25℃ unless otherwise specified

SYMBO

TYP

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

200

1.0

MAX

UNIT

V_(BR)DSSDrain-Source Breakdown Voltage

V_GS= 0; I_D= 1mA

V_DS= V_GS; I_D= 1mA

V_GS= 15V; I_D= 3A

V_GS= ±20V;V_DS= 0

V_DS=160V; V_GS=0

Gate Threshold Voltage

5.0

1.2

V_GS

)

(th

Drain-Source On-Resistance

Gate-Body Leakage Current

Zero Gate Voltage Drain Current

R_DS(

)

I_GSS

±100

μA

I_DSS

isc website：www.iscsemi.cn

isc & iscsemi is registered trademark

PDF pdfFactory Pro

www.fineprint.cn

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