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2SK3928-01

更新时间： 2024-01-27 07:06:28

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富士电机 - FUJI		/
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4页	115K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3928-01 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	439.1 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3928-01 数据手册

2SK3928-01

FUJI POWER MOSFET

Characteristics

Typical Output Characteristics

ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25°C

Allowable Power Dissipation

PD=f(Tc)

240

200

160

120

20V

10V

7.5V

6.5V

VGS=6V

100

125

150

VDS [V]

Tc [°C]

Typical Transfer Characteristic

ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C

Typical Transconductance

gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C

100

0.1

0.01

0.1

0.01

0.1

100

VGS[V]

ID [A]

Typical Drain-Source on-state Resistance

RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C

Drain-Source On-state Resistance

RDS(on)=f(Tch):ID=5.5A,VGS=10V

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

1.7

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

7.0V

VGS=6.5V

7.5V

10V

20V

max.

typ.

-50

-25

100

125

150

10 12 14 16 18 20 22 24 26

Tch [°C]

ID [A]

123 4

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