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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3930-01S
2SK3930-01S PDF预览

2SK3930-01S

更新时间： 2024-01-22 13:30:33
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 179K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3930-01S 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.71Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：439.1 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：11 A最大漏源导通电阻：0.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3930-01S 数据手册

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2SK3930-01L,S,SJ  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings (mm) 200406  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
No secondary breakdown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
See to P4  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristic  
Absolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Equivalent circuit schematic  
Item  
Symbol  
Ratings  
600  
Unit  
V
Remarks  
Drain(D)  
Drain-source voltage  
VDS  
VDSX  
ID  
600  
V
VGS=-30V  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
11  
A
ID(puls]  
VGS  
IAR  
±44  
A
Gate-Source Voltage  
±30  
V
Gate(G)  
Maximum Avalanche current  
Non-Repetitive  
11  
A
Note *1  
Note *2  
Source(S)  
EAS  
439.1  
mJ  
<
Note *1:Tch 150°C,Repetitive and Non-repetitive  
=
Maximum Avalanche Energy  
Repetitive  
Note *2:StartingTch=25°C,IAS=5A,L=32.2mH,  
EAR  
19.5  
mJ  
Note *3  
VCC=60V,RG=50Ω  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Peak Diode Recovery -di/dt  
Max. Power Dissipation  
EAS limited by maximum channel temperature  
and Avalanche current.  
dVDS/dt  
dV/dt  
-di/dt  
PD  
20  
5
kV/µs  
<
VDS 600V  
=
kV/µs Note *4  
See to the ‘Avalanche Energy’ graph  
Note *3:Repetitive rating:Pulse width limited by  
maximum channel temperature.  
See to the ‘Transient Thermal impedance’  
graph.  
100  
195  
1.67  
+150  
Note *5  
A/µs  
W
Tc=25°C  
Ta=25°C  
Operating and Storage  
Temperature range  
Tch  
°C  
Tstg  
-55 to +150 °C  
<
<
<
Note *4:IF -ID, -di/dt=100A/µs,VCC BVDSS,Tch 150°C  
=
<
=
=
<
<
Note *5:IF -ID, dv/dt=5kV/µs,VCC BVDSS,Tch 150°C  
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Test Conditions  
=
=
=
Max. Units  
V
Min.  
Typ.  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
600  
3.0  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
5.0  
25  
2.0  
100  
0.80  
Tch=25°C  
µA  
mA  
nA  
VDS=600V VGS=0V  
VDS=480V VGS=0V  
VDS=0V  
VGS=±30V  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
Tch=125°C  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
Gate-Source Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
ID=5.5A VGS=10V  
0.62  
Ω
S
5
10  
1100  
150  
8
ID=5.5A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
1650  
225  
12  
pF  
VGS=0V  
Output Capacitance  
f=1MH  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time ton  
ns  
17  
7
26  
VCC=300V ID=5.5A  
VGS=10V  
11  
40  
8
60  
td(off)  
tf  
Turn-Off Time toff  
RGS=10 Ω  
12  
30  
9
45  
VCC=300V  
ID=11A  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
13.5  
15  
1.50  
250  
1.5  
QGS  
QGD  
VSD  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
10  
VGS=10V  
1.00  
120  
0.6  
IF=11A VGS=0V Tch=25°C  
IF=11A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
trr  
Qrr  
ns  
µC  
Thermal characteristics  
Item  
Symbol  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
Test Conditions  
channel to case  
channel to ambient  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
0.641 °C/W  
Thermal resistance  
°C/W  
75  
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd  
1
1234

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