2SK3923-01

更新时间： 2024-01-05 17:58:40

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富士电机 - FUJI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3923-01 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	301.1 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.28 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3923-01 数据手册

2SK3923-01

FUJI POWER MOSFET

Typical Gate Charge Characteristics

Gate Threshold Voltage vs. Tch

VGS=f(Qg):ID=14A,Tch=25°C

VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250uA

Vcc= 50V

250V

max.

min.

200V

-50

-25

100

125

150

Qg [nC]

Tch [°C]

Typical Forward Characteristics of Reverse Diode

Typical Capacitance

IF=f(VSD):80 µs pulse test,Tch=25°C

C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz

100

10n

100p

10p

Ciss

Coss

Crss

0.1

10^-1

10⁰

10¹

10²

10³

0.00

0.25

0.50

0.75

1.00

1.25

1.50

VSD [V]

VDS [V]

Typical Switching Characteristics vs. ID

t=f(ID):Vcc=48V,VGS=10V,RG=10Ω

Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch

E(AV)=f(starting Tch):Vcc=48V,I(AV)<=14A

10³

10²

10¹

10⁰

350

300

250

200

150

100

I_AS=5.6A

td(off)

td(on)

I_AS=8.4A

I_AS=14A

10^-1

10⁰

10¹

10²

100

125

150

starting Tch [°C]

ID [A]

1 234

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