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2SK3921-01SJ

更新时间： 2024-02-05 07:58:25

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
4页	230K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3921-01SJ 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.71	雪崩能效等级（Eas）：	719.1 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	120 V	最大漏极电流 (ID)：	67 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	268 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3921-01SJ 数据手册

2SK3921-01L,S,SJ

FUJI POWER MOSFET

Maximum Avalanche Current Pulsewidth

I_AV=f(t_AV):starting Tch=25°C,Vcc=48V

10³

10²

10¹

10⁰

10^-1

Single Pulse

10^-8

10^-7

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

t_AV[sec]

Maximum Transient Thermal Impedance

Zth(ch-c)=f(t):D=0

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

10^-3

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

t [sec]

Outline Drawings [mm]

T-pack(SJ) [D2-pack]

T-pack(S)

T-pack(L)

http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/

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