2SK3570-S

更新时间： 2024-02-02 00:23:43

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页	84K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3570-S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MP-25ZK, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	48 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3570-S 数据手册

2SK3570

★

TYPICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS

SAFE OPERATING AREA

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

CASE TEMPERATURE

120

100

125

150

175

100

125

150

175

T^C- Case Temperature - °C

FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

1000

100

D(pulse)

DS(on)

limited

PW = 10 µs

100 µs

D(DC)

1 ms

Power dissipation

limited

10 ms

= 25 C

Single pulse

0.1

100

V^DS- Drain to Source Voltage - V

TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH

100

R^th(ch-A)= 83.3°C/W

R^th(ch-C)= 4.31°C/W

0.1

Single pulse

100 1000

0.01

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

PW - Pulse Width - s

Data Sheet D16256EJ2V0DS

1 234 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK3570-Z	RENESAS	48A, 20V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN	获取价格
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2SK3570-ZK	NEC	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2SK3570-ZK-AZ	RENESAS	48A, 20V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, MP-25ZK, 3 PIN	获取价格
2SK3571	NEC	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2SK3571	KEXIN	MOS Field Effect Transistor	获取价格