2SK3458-S

更新时间： 2024-10-14 22:52:59

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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3458-S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.28
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	66.5 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	2.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3458-S 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3458

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SK3458 is N-channel DMOS FET device that features a

low gate charge and excellent switching characteristics,

designed for high voltage applications such as switching power

supply.

PART NUMBER

2SK3458

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3458-S

2SK3458-ZK

TO-263

FEATURES

•

Low gate charge

Q^G= 25 nC TYP. (V^DD= 450 V, V^GS= 10 V, I^D= 6.0 A)

Gate voltage rating ±30 V

•

Low on-state resistance

R^DS(on)= 2.2 Ω MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 3.0 A)

Avalanche capability ratings

•

Surface mount package available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

800

±30

±6.0

±24

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

1.5

°C

P^T2

100

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

6.0

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

66.5

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 150 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

2000

Document No.

Date Published June 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D14755EJ1V0DS00 (1st edition)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3458-S-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3458-S-AZ	RENESAS	获取价格	6A, 800V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN
2SK3458-Z-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3458-Z-AZ
2SK3458-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3458-Z-E1-AZ
2SK3458-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3458-Z-E2-AZ
2SK3458-ZJ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,6A I(D),TO-263AB
2SK3458-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	6A, 800V, 2.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN
2SK3458-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3458-ZJ-E2-AZ
2SK3458-ZK	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3458-ZK-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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