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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.19 |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK322WSTL | RENESAS |
获取价格 |
50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3 |
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| 2SK322WSTL | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK322WSTR | HITACHI |
获取价格 |
50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3 |
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| 2SK322WSUL | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK322WSUL | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK322WSUR | RENESAS |
获取价格 |
50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3 |
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| 2SK322WSUR | HITACHI |
获取价格 |
50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3 |
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| 2SK322WT | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK322WT01 | RENESAS |
获取价格 |
50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3 |
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| 2SK322WT01 | HITACHI |
获取价格 |
50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3 |
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