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2SK3019EBTCL

更新时间： 2024-02-04 01:39:30

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罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	953K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, EMT3F, 3 PIN

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2SK3019EBTCL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3019EBTCL 数据手册

Data Sheet

2.5V Drive Nch MOSFET

2SK3019EB

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

EMT3F

Silicon N-channel MOSFET

(3)

Features

1) High-speed switching.

2) Low voltage drive(2.5V drive).

3) Drive circuits can be simple.

4) Parallel use is easy.

(1)

(2)

Abbreviated symbol : KN

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

(3)

Package

Taping

TCL

3000



Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

∗2

(1)

2SK3019EB

∗1

(1) Gate

(2)

(2) Source

(3) Drain

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter Symbol

Drain-source voltage

Limits

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-source voltage

20

Continuous

Pulsed

100

C

Drain current

I_DP

400

Power dissipation

P_D

150

Channel temperature

Tch

Tstg

150

Range of storage temperature

*1 Pw10s, Duty cycle1%

55 to 150

C

*2 Each terminal mounted on a reference land.

 Thermal resistance

Parameter

Symbol

Limits

833

Unit

Channel to Ambient

Rth (ch-a)

C / W

* Each terminal mounted on a reference land.

www.rohm.com

2011.10 - Rev.A

1/5

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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