2SK2983-ZJ

更新时间： 2024-01-01 06:58:36

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	67K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK2983-ZJ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.027 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2983-ZJ 数据手册

2SK2983

SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE

Pulsed

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

100

VGS = 0 V

VGS = 4.5 V

10 V

0.1

= 15 A

150

- 50

100

1.5

1.0

0.5

- Source to Drain Voltage - V

Tch - Channel Temperature - ˚C

VSD

CAPACITANCE vs. DRAIN TO

SOURCE VOLTAGE

SWITCHING CHARACTERISTICS

10000

1000

100

GS = 0 V

f = 1 MHz

Ciss

d(off)

d(on)

Coss

Crss

100

= 15 V

V^DD= 10 V

R^GS

= 10 Ω

100

0.1

100

0.1

VDS - Drain to Source Voltage - V

- Drain Current - A

REVERSE RECOVERY TIME vs.

DRAIN CURRENT

DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS

1000

100

di/dt = 100 A/µs

GS = 0 V

= 30 A

DD = 24 V

15 V

6 V

VDS

0.1

100

- Diode Current - A

- Gate Charge - nC

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