2SK2983-S

更新时间： 2024-01-13 18:23:56

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页	67K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK2983-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.027 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2983-S 数据手册

2SK2983

PACKAGE DRAWINGS (Unit : mm)

1)TO-220AB (MP-25)

2)TO-262 (TO-220 Fin Cut:MP-25S)

4.8 MAX.

1.3±0.2

4.8 MAX.

1.3±0.2

10.6 MAX.

10.0

(10)

3.6±0.2

2 3

1.3±0.2

2.8±0.2

0.5±0.2

0.75±0.3

2.54 TYP.

0.75±0.1

2.54 TYP.

0.5±0.2

2.8±0.2

1.Gate

2.Drain

2.54 TYP.

3.Source

4.Fin (Drain)

1.Gate

2.Drain

3.Source

4.Fin (Drain)

3)TO-263 (JEDEC TYPE:MP-25ZJ)

4.8 MAX.

(10)

1.3±0.2

EQUIVALENT CIRCUIT

Drain

Body

Diode

Gate

1.4±0.2

0.7±0.2

0.5±0.2

Gate

Protection

Diode

2.54 TYP.

Source

1.Gate

2.Drain

3.Source

4.Fin (Drain)

Remark

The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.

When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding

the rated voltage may be applied to this device

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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