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| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.65 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.03 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.05 pF | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK241-GR | TOSHIBA | TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-4E1D, 3 PIN, FET RF Small S |
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| 2SK241-GRTPE4 | TOSHIBA | TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal |
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| 2SK241O | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | TO-92VAR |
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| 2SK241-O | TOSHIBA | TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-4E1D, 3 PIN, FET RF Small S |
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| 2SK241-OTPE4 | TOSHIBA | TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal |
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| 2SK241TPE4 | TOSHIBA | TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal |
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