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2SK217ZETR

更新时间: 2024-01-24 20:19:31
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日立 - HITACHI 晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
7页 38K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, MPAK-3

2SK217ZETR 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.15
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最大漏极电流 (ID):0.02 AFET 技术:JUNCTION
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK217ZETR 数据手册

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2SK217  
Silicon N-Channel Junction FET  
Application  
VHF amplifier  
Outline  
MPAK  
3
1
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
2

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