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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1151(S)TL
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2SK1151(S)TL

更新时间： 2024-01-10 06:47:02
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
8页 89K
描述
1.5A, 450V, 5.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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2SK1151(S)TL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：DPAK(S)包装说明：SC-63, DPAK-3/2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：450 V
最大漏极电流 (ID)：1.5 A最大漏源导通电阻：5.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

2SK1151(S)TL 数据手册

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2SK1151(L), 2SK1151(S), 2SK1152(L), 2SK1152(S)  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Drain to source voltage  
Symbol  
Ratings  
Unit  
2SK1151  
2SK1152  
VDSS  
450  
V
500  
Gate to source voltage  
Drain current  
VGSS  
ID  
ID(pulse)  
IDR  
±30  
V
A
1.5  
1
Drain peak current  
*
6
1.5  
A
Body to drain diode reverse drain current  
Channel dissipation  
A
Pch*2  
20  
W
°C  
°C  
Channel temperature  
Tch  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%  
2. Value at TC = 25°C  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test conditions  
Drain to source breakdown 2SK1151  
V(BR)DSS  
450  
500  
±30  
—
—
—
V
ID = 10 mA, VGS = 0  
voltage  
2SK1152  
Gate to source breakdown voltage  
Gate to source leak current  
V(BR)GSS  
IGSS  
—
—
—
—
V
IG = ±100 µA, VDS = 0  
VGS = ±25 V, VDS = 0  
VDS = 360 V, VGS = 0  
VDS = 400 V, VGS = 0  
ID = 1 mA, VDS = 10 V  
ID = 1 A, VGS = 10 V *3  
±10  
100  
µA  
µA  
Zero gate voltage drain  
current  
2SK1151  
IDSS  
—
2SK1152  
Gate to source cutoff voltage  
VGS(off)  
RDS(on)  
2.0  
—
—
0.6  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.5  
4.0  
1.1  
160  
45  
5
3.0  
5.5  
6.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V
Static drain to source on  
state resistance  
2SK1151  
2SK1152  
Ω
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
|yfs|  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
S
ID = 1 A, VDS = 20 V *3  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
VDS = 10 V, VGS = 0,  
f = 1 MHz  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Rise time  
5
ID = 1 A, VGS = 10 V,  
RL = 30 Ω  
10  
20  
10  
1.0  
220  
Turn-off delay time  
Fall time  
td(off)  
tf  
Body to drain diode forward voltage  
VDF  
trr  
IF = 1.5 A, VGS = 0  
Body to drain diode reverse recovery  
time  
ns  
IF = 1.5 A, VGS = 0,  
diF/dt = 100 A/µs  
Note: 3. Pulse test  
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 2 of 7  
12345678

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