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2SJ683

更新时间： 2024-01-31 17:53:51

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三洋 - SANYO		晶体开关晶体管脉冲通用开关
页数	文件大小	规格书
4页	57K
描述
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

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2SJ683 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	65 A	最大漏极电流 (ID)：	65 A
最大漏源导通电阻：	0.0105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ683 数据手册

2SJ683

-- V

--130

--120

--110

--100

--90

--130

--120

--110

--100

--90

Tc=25°C

V = --10V

--80

--70

--60

--50

--40

--30

--20

--10

--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

--3.0

--3.5

--4.0

Drain-to-Source Voltage, V

-- V

IT13297

Gate-to-Source Voltage, V

-- V

IT13298

(on) -- V

(on) -- Tc

I = --33A

Single pulse

--1

--2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

--9

--10

--50

--25

100

125

150

IT13299

Case Temperature, Tc -- °C

IT13300

Gate-to-Source Voltage, V

-- V

⏐yfs⏐ -- I

-- V

=0V

= --10V

--100

Single puls

100

--10

--1.0

--0.1

--0.01

--0.001

1.0

--0.1

--100

2 3

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

IT13302

--1.0

--10

IT13301

Diode Forward Voltage, V

-- V

Drain Current, I -- A

Ciss, Coss, Crss -- V

SW Time -- I

= --30V

= --10V

f=1MHz

Ciss

10000

1000

t (on)

100

--0.1

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT13304

--1.0

--10

--100

IT13303

Drain Current, I -- A

Drain-to-Source Voltage, V

-- V

No. A1057-3/4

1 234

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