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2SJ683

更新时间： 2024-01-14 05:29:48

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三洋 - SANYO		晶体开关晶体管脉冲通用开关
页数	文件大小	规格书
4页	57K
描述
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

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2SJ683 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	65 A	最大漏极电流 (ID)：	65 A
最大漏源导通电阻：	0.0105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ683 数据手册

2SJ683

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Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

=--10V, I =--1mA

Unit

min

--1.2

max

--2.6

Cutoff Voltage

V (off)

Forward Transfer Admittance

yfs

⏐

=--10V, I =--33A

⏐

(on)1

(on)2

=--33A, V =--10V

8.0

10.5

15500

1000

800

110

10.5

mΩ

Static Drain-to-Source On-State Resistance

=--33A, V =--4V

Input Capacitance

Ciss

=--20V, f=1MHz

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Turn-ON Delay Time

Rise Time

Coss

Crss

t (on)

See specified Test Circuit.

620

900

580

290

Turn-OFF Delay Time

Fall Time

t (off)

Total Gate Charge

=--30V, V =--10V, I =--65A

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain “Miller” Charge

Diode Forward Voltage

Qgs

Qgd

=--30V, V =--10V, I =--65A

I =--65A, V =0V

S GS

--0.9

--1.5

Package Dimensions

unit : mm (typ)

7002-001

8.2

7.8

6.2

0.6

0.3

0.6

1.0

2.54

1.0

2.54

5.08

1 : Gate

2 : Source

3 : Drain

7.8

10.0

6.0

SANYO : ZP

Switching Time Test Circuit

Avalanche Resistance Test Circuit

V = --30V

≥50Ω

--10V

= --33A

R =0.9Ω

2SJ683

OUT

--10V

PW=10μs

D.C.≤1%

50Ω

2SJ683

P.G

50Ω

No. A1057-2/4

123 4

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