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2SJ76

更新时间: 2024-02-21 10:24:34
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 64K
描述
Silicon P Channel MOS FET

2SJ76 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220AB, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.38
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:140 V最大漏极电流 (ID):0.5 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ76 数据手册

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2SJ76, 2SJ77, 2SJ78, 2SJ79  
Silicon P Channel MOS FET  
REJ03G0122-0200  
(Previous: ADE-208-1179)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Description  
High frequency and low frequency power amplifier, high speed power switching  
Complementary pair with 2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216  
Features  
Suitable for direct mounting  
High forward transfer admittance  
Excellent frequency response  
Enhancement-mode  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AC-A  
(Package name: TO-220AB)  
D
1. Gate  
2. Source (Flange)  
3. Drain  
G
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 5  

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