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2SJ659(SMP-FD)

更新时间： 2024-01-02 02:33:42

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安森美 - ONSEMI		/
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4页	53K
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,14A I(D),TO-263ABVAR

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2SJ659(SMP-FD) 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.06	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SJ659(SMP-FD) 数据手册

2SJ659

-- V

D GS

--30

--25

--20

--15

--10

--30

--25

--20

--15

--10

V = --10V

Tc=25°C

--4V

--5

= --3V

--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0

--1

--2

--3

--4

--5

--6

--7

Drain-to-Source Voltage, V

-- V

IT08725

Gate-to-Source Voltage, V

-- V

IT08726

(on) -- V

(on) -- Tc

--300

--250

--200

--150

--100

350

300

250

200

150

100

I = --7

Tc=75

°C

--50

--2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

--9

--10

--50

--25

100

125

150

IT08727

Case Temperature, Tc -- °

IT08728

Gate-to-Source Voltage, V

-- V

yfs -- I

-- V

100

--100

=0V

= --10V

--10

--1.0

--0.1

1.0

--0.1

--0.01

--0.3

--0.6

--0.9

--1.2

--1.5

IT08730

--1.0

--10

IT08729

Diode Forward Voltage, V

Ciss, Coss, Crss -- V

-- V

Drain Current, I -- A

SW Time -- I

1000

10000

= --30V

= --10V

f=1MHz

Ciss

100

1000

t (on)

100

1.0

--0.1

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT08732

--1.0

--10

IT08731

Drain Current, I -- A

Drain-to-Source Voltage, V

-- V

No.8584-3/4

1 234

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