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2SJ601-Z-AZ

更新时间： 2024-02-20 03:11:26

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日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
8页	170K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 36A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

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2SJ601-Z-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AB
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.12
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	36 A	最大漏源导通电阻：	0.046 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ601-Z-AZ 数据手册

2SJ601

PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)

1) TO-251 (MP-3)

2) TO-252 (MP-3Z)

2.3 0.2

0.5 0.1

6.5 0.2

5.0 0.2

6.5 0.2

2.3 0.2

0.5 0.1

5.0 0.2

1.1 0.2

0.9

0.8

1.1 0.2

MAX. MAX.

2.3 2.3

0.5 ⁺−0⁰.^.1²

0.5 ⁺−⁰0^..²1

0.8

1. Gate

2.3 2.3

2. Drain

3. Source

4. Fin (Drain)

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Fin (Drain)

EQUIVALENT CIRCUIT

Drain

Body

Diode

Gate

Protection

Diode

Source

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.

When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding

the rated voltage may be applied to this device.

Data Sheet D14646EJ4V0DS

1...4 5 678

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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