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2SJ553(S)-(1)

更新时间： 2024-02-20 00:28:06

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日立 - HITACHI		/
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12页	63K
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Transistor

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2SJ553(S)-(1) 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SJ553(S)-(1) 数据手册

2SJ553(L),2SJ553(S)

Body–Drain Diode Reverse

Recovery Time

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

10000

1000

500

= 0

f = 1 MHz

3000

1000

Ciss

200

100

Coss

300

100

Crss

di / dt = 50 A / µs

= 0, Ta = 25 °C

100

0.3

0.1

–10

–20

–30

–40

–50

(V)

Reverse Drain Current

(A)

Drain to Source Voltage

Switching Characteristics

Dynamic Input Characteristics

1000

500

–20

–40

–60

= –10 V

–25 V

d(off)

–50 V

–4

–8

= –30 A

200

100

–12

= –10 V

–25 V

–50 V

d(on)

= –10 V, V

–80

–16

–20

= –30 V

PW = 5 µs, duty < 1 %

–100

–3

–1

Drain Current

–30 –100

(A)

160

–0.3

–10

–0.1

120

200

Gate Charge Qg (nc)

1...3 4 567 8 9...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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